職位描述
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封裝開發(fā)設計工程師:
崗位職責:
1、負責IPM功率模塊的封裝設計、材料選型,包括電路布局、熱設計、電磁兼容性分析等,輸出完整設計方案完成各種封裝仿真,封裝工藝、材料選型;
2、編寫產(chǎn)品開發(fā)設計文檔;
3、分析模塊失效機理,制定改進方案,建立可靠性模型。
崗位要求:
1、研究生以上學歷,微電子、材料科學、機械電子、電力電子等專業(yè);
2、熟悉半導體功率器件(IGBT、SiC MOSFET等)及IPM模塊封裝工藝流程,專職從事封裝設計開發(fā)工作3年以上;
3、有功率模塊封裝產(chǎn)品開發(fā)設計經(jīng)驗,熟悉封裝設計規(guī)則,標準化輸出新產(chǎn)品設計圖紙;
4、熟悉各種封裝材料特性,熟悉仿真軟件,制定評估方案,或可進行各種封裝仿真驗證(熱仿真,應力仿真,模流仿真);
5、具有產(chǎn)品分析能力;
6、具備專利撰寫經(jīng)驗;
7、具有良好的溝通協(xié)調(diào)推進能力;具有策略化思維,有能力建立、整合不同的工作團隊;具有解決復雜問題的能力;較強的計劃性和實施執(zhí)行能力;較強的溝通、協(xié)調(diào)能力、責任心、事業(yè)心強;較強的自我管理意識。
崗位職責:
1、負責IPM功率模塊的封裝設計、材料選型,包括電路布局、熱設計、電磁兼容性分析等,輸出完整設計方案完成各種封裝仿真,封裝工藝、材料選型;
2、編寫產(chǎn)品開發(fā)設計文檔;
3、分析模塊失效機理,制定改進方案,建立可靠性模型。
崗位要求:
1、研究生以上學歷,微電子、材料科學、機械電子、電力電子等專業(yè);
2、熟悉半導體功率器件(IGBT、SiC MOSFET等)及IPM模塊封裝工藝流程,專職從事封裝設計開發(fā)工作3年以上;
3、有功率模塊封裝產(chǎn)品開發(fā)設計經(jīng)驗,熟悉封裝設計規(guī)則,標準化輸出新產(chǎn)品設計圖紙;
4、熟悉各種封裝材料特性,熟悉仿真軟件,制定評估方案,或可進行各種封裝仿真驗證(熱仿真,應力仿真,模流仿真);
5、具有產(chǎn)品分析能力;
6、具備專利撰寫經(jīng)驗;
7、具有良好的溝通協(xié)調(diào)推進能力;具有策略化思維,有能力建立、整合不同的工作團隊;具有解決復雜問題的能力;較強的計劃性和實施執(zhí)行能力;較強的溝通、協(xié)調(diào)能力、責任心、事業(yè)心強;較強的自我管理意識。
工作地點
地址:杭州西湖區(qū)杭州西湖區(qū)黃姑山路4號
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職位發(fā)布者
雷小姐HR
杭州士蘭微電子股份有限公司
-
電子·微電子
-
1000人以上
-
股份制企業(yè)
-
浙江省杭州市濱江區(qū)濱康路500號

應屆畢業(yè)生
學歷不限
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注:聯(lián)系我時,請說是在江蘇人才網(wǎng)上看到的。
